Здравствуйте, друзья. На очереди у нас крайне важный компонент стационарного персонального компьютера. ОЗУ считается одной из базовых частей абсолютно любого электронного вычислительного комплекса. И сегодня мы поведаем вам о планках оперативной памяти для традиционных настольных систем. Если быть точнее, то в центре нашего внимания съемный модуль динамической перезаписываемой памяти стандарта DIMM DDR3 (240 контактов). В целом, модуль памяти DIMM
DDR3
имеет много общего со своей "младшей" модификацией плат оперативной памяти для мобильных ПК формата SO-DIMM. Планки памяти форм-фактора DIMM DDR3 имеют целый ряд специфических свойств. О наиболее значимых параметрах этого вида цифровых устройств вы сможете узнать в данной публикации.
Память DIMM DDR3 - это третье поколение полноразмерных модулей оперативной сверхбыстрой памяти для настольных компьютеров. В отличии от предыдущих планок ОЗУ с типом памяти DDR2, этот выпуск устройств характеризуется удвоенной скоростью обмена данными. Такое решение позволило добиться существенного прироста производительности как в традиционных, так и в мобильных компьютерных системах. Благодаря целому ряду удачных технических решений, оперативно перезаписываемая память класса DDR3 может комплектоваться большим объемом виртуальной памяти (2 Гб, 4 Гб, 8 Гб). Более того, стала выше и частота этой используемой памяти. Теперь на прилавках магазинов электроники рядовые пользователи компьютерных систем способны приобрести современные модули оперативной памяти с частотой работы от 1333 до 2400 MHz.
Не все знают, но в персональном компьютере с современной материнской платой
модуль памяти DIMM
DDR3
способнен работать по нескольким уникальным схемам. Речь идет о многоканальных (2-х, 3-х, 4-х) режимах функционирования модулей RAM. Помимо пониженного энергопотребления, этот популярный тип оперативки даст существенную прибавку в производительности вашей компьютерной сборке. Мы бы хотели раскрыть принцип действия данной технологии на примере доступного двухканального режима. Для получения максимального возможной скорости обмена информации между планками ОЗУ и системной платой необходимо установить абсолютно одинаковые устройства в соответствующие (одинакового цвета) слоты на материнской платформе. При этом стоит отметить, что у ваших распаянных плат главные характеристики должны полностью совпадать.
Если вы стали обладателем новой материнской платы, то наверное могли заметить, что на ней находится не одни, а несколько специальных разъемов для подключения модулей памяти RAM. Но это не значит, что вы обязательно должны заполнить все слоты. Среднестатистическому пользователю домашнего компьютера будет вполне достаточно одной-двух планок ОЗУ с суммарным размером памяти 8 гигабайт. Используя 2-х канальный метод работы оперативки, в качестве дополнительного способа апгрейда системы вам будут доступны остальные пустые слоты на основной плате ПК. В будущем, вам нужно будет лишь прикупить новые девайсы и усовершенствовать конфигурацию своей компьютерной техники.
Будьте внимательны - оперативная память стандарта DIMM DDR3 не совместима с материнками, работающими с устаревшим типом памяти формата DDR2. О не соответствии модуля оперативной памяти и разъемов системной шины вам подскажут специальный ключ (контактный шлейф с пазом). На боковых сторонах любого устройства ОЗУ вы сможете найти небольшие выемки, при помощи которых они крепятся на основную плату персонального компьютера. Данное техническая хитрость не дает нам шанс установить в компьютерную сборку устройство памяти RAM, которое не подходит нашей системе.
Дата публикации:
25.06.2009
Как известно, оперативная память вкладывает большую составляющую в производительность компьютера. И понятно, что пользователи стараются увеличить объем оперативной памяти по максимуму.
Если года 2-3 назад на рынке было буквально несколько типов модулей памяти, то сейчас их значительно больше. И разобраться в них стало сложнее.
В этой статье мы рассмотрим различные обозначения в маркировке модулей памяти, чтобы вам проще в них было ориентироваться.
Для начала введем ряд терминов, котоыре нам понадобятся для понимания статьи:
Рассмотрим маркировки
Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это - 4 ГБ, а во втором - 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 - набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.
DIMM/SO-DIMM - это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.
DIMM
(Dual In-line Memory Module) - модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.
В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).
Тип памяти - это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти - производительность, частоту, напряжение питание и др.
На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 - самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.
Частоты передачи данных для типов памяти:
Цифра, указываемая после типа памяти - и есть частота: DDR400, DDR2-800 .
Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.
Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.
Однако, есть еще факторы, такие как количество каналов памяти, разрядность шины памяти. Они также влияют на производительность подсистем памяти.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.
Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)
Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с
На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).
В обозначении для облегчения понимания скорости модуля указывается и стандарт пропускной способности памяти. Он как раз и показывает, какую пропускную способность имеет модуль.
Все эти стандарты начинаются с букв PC и далее идут цифры, указывающие пропускную способность памяти в Мбайтах в секунду.
| Название модуля | Частота шины | Тип чипа | |
| PC2-3200 | 200 МГц | DDR2-400 | 3200 МБ/с или 3.2 ГБ/с |
| PC2-4200 | 266 МГц | DDR2-533 | 4200 МБ/с или 4.2 ГБ/с |
| PC2-5300 | 333 МГц | DDR2-667 | 5300 МБ/с или 5.3 ГБ/с 1 |
| PC2-5400 | 337 МГц | DDR2-675 | 5400 МБ/с или 5.4 ГБ/с |
| PC2-5600 | 350 МГц | DDR2-700 | 5600 МБ/с или 5.6 ГБ/с |
| PC2-5700 | 355 МГц | DDR2-711 | 5700 МБ/с или 5.7 ГБ/с |
| PC2-6000 | 375 МГц | DDR2-750 | 6000 МБ/с или 6.0 ГБ/с |
| PC2-6400 | 400 МГц | DDR2-800 | 6400 МБ/с или 6.4 ГБ/с |
| PC2-7100 | 444 МГц | DDR2-888 | 7100 МБ/с или 7.1 ГБ/с |
| PC2-7200 | 450 МГц | DDR2-900 | 7200 МБ/с или 7.2 ГБ/с |
| PC2-8000 | 500 МГц | DDR2-1000 | 8000 МБ/с или 8.0 ГБ/с |
| PC2-8500 | 533 МГц | DDR2-1066 | 8500 МБ/с или 8.5 ГБ/с |
| PC2-9200 | 575 МГц | DDR2-1150 | 9200 МБ/с или 9.2 ГБ/с |
| PC2-9600 | 600 МГц | DDR2-1200 | 9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с |
| Тип памяти | Частота памяти | Время цикла | Частота шины | Передач данных в секунду | Название стандарта | Пиковая скорость передачи данных |
| DDR3-800 | 100 МГц | 10.00 нс | 400 МГц | 800 млн | PC3-6400 | 6400 МБ/с |
| DDR3-1066 | 133 МГц | 7.50 нс | 533 МГц | 1066 млн | PC3-8500 | 8533 МБ/с |
| DDR3-1333 | 166 МГц | 6.00 нс | 667 МГц | 1333 млн | PC3-10600 | 10667 МБ/с |
| DDR3-1600 | 200 МГц | 5.00 нс | 800 МГц | 1600 млн | PC3-12800 | 12800 МБ/с |
| DDR3-1800 | 225 МГц | 4.44 нс | 900 МГц | 1800 млн | PC3-14400 | 14400 МБ/с |
| DDR3-2000 | 250 МГц | 4.00 нс | 1000 МГц | 2000 млн | PC3-16000 | 16000 МБ/с |
| DDR3-2133 | 266 МГц | 3.75 нс | 1066 МГц | 2133 млн | PC3-17000 | 17066 МБ/с |
| DDR3-2400 | 300 МГц | 3.33 нс | 1200 МГц | 2400 млн | PC3-19200 | 19200 МБ/с |
В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) - номер детали.
Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:
На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.
Модули Kingston
семейства ValueRAM:
Модули Kingston семейства HyperX (с дополнительным пассивным охлаждением для разгона):
По маркировке OCZ можно понять, что это модуль DDR2 объемом 1 Гбайт, частотой 800 МГц.
По маркировке CM2X1024-6400C5 понятно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.
Некоторые производители вместо частоты или стандарта памяти указывают время в нс доступа к чипу памяти. По этому времени можно понять, какая используется частота.
Так поступает Micron: MT47H128M16HG-3
. Цифра в конце обозначает, что время доступа - 3 нс (0.003 мс).
По известной форуме T=1/f частота работы чипа f=1/T
: 1/0,003 = 333 МГц.
Частота передачи данных в 2 раза выше - 667 МГц.
Соответственно, данный модуль DDR2-667.
Тайминги - это задержки при обращении к микросхемам памяти. Естественно, чем они меньше - тем быстрее работает модуль.
Дело в том, что микросхемы памяти на модуле имеют матричную структуру - представлены в виде ячеек матрицы с номером строки и номером столбца.
При обращении к ячейке памяти считывается вся строка, в которой находится нужная ячейка.
Сначала происходит выбор нужной строки, затем нужного столбца. На пересечении строки и номера столбца и находится нужная ячейка. С учетом огромных объемом современной RAM такие матрицы памяти не целиковые - для более быстрого доступа к ячейкам памяти они разбиты на страницы и банки.
Сначала происходит обращение к банку памяти, активизация страницы в нем, затем уже происходит работа в пределах текущей страницы: выбор строки и столбца.
Все эти действия происходит с определенно задержкой друг относительно друг друга.
Основные тайминги RAM - это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay, RCD ), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency, CL ), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge, RP ). Тайминги измеряются в наносекундах (нс).
Эти тайминги так и идут друг за другом в порядке выполнения операций и также обозначаются схематично 5-5-5-15 . В данном случае все три тайминга по 5 нс, а общий рабочий цикл - 15 нс с момента активизации строки.
Главным таймингом считается CAS latency , который часто обозначается сокращенно CL=5 . Именно он в наибольшей степени "тормозит" память.
Основываясь на этой информации, вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти.
Для правильного выбора оперативной памяти необходимо разбираться в маркировке характеристик и понимать их влияние на быстродействие компьютера. Нельзя опираться только на объём памяти и игнорировать другие важные параметры.
Производители оперативной памяти используют часто свои собственные маркировки для обозначения моделей, но характеристики всё же стараются указывать в едином формате. Например, из планки от «Сrusial» можно извлечь следующую информацию.
4GB DDR3L-1600 UDIMM 1.35V CL11
U-DIMM - разновидность DIMM памяти, используется в 99% домашних ПК. «U» обозначает что у планки нет защиты от возникновения ошибок при обращения к ячейкам. Это позволяет ей быстрее работать и дешевле стоить. Для повседневных задач отсутствие защиты не критично. В маркировке часто букву «U» не пишут, оставляя только DIMM.R-DIMM, LR-DIMM и FB-DIMM - планки для серверов и вычислительных систем, в которых нужна максимальная надёжность работы. Стоят дороже и не рекомендуются для покупки в обычные компьютеры.
Чем выше частота, тем лучше быстродействие. Но есть нюанс. Процессор имеет максимальный порог частоты на которой он может взаимодействовать с оперативной памятью. Если в процессоре этот порог 1600 МГц, то покупка памяти с частотой 2133 МГц ничего не даст. Работать всё будет на частоте 1600 МГц.Данную характеристику часто не указывают у процессоров и её следует искать на сайте производителя. Для примера приведу небольшой список максимальной частоты взаимодействия с ОЗУ для некоторых процессоров.
| Серия процессора | Max частота |
|---|---|
| Core i3 | |
| Core i3 8й серии | 2400 МГц |
| Core i3 7й серии | 2133/2400 МГц |
| Core i3 6й серии | 2133 МГц |
| Core i3 4й серии | 1600 МГц |
| Core i5 | |
| Core i5 7й серии | 2400 МГц |
| Core i5 6й серии | 2133 МГц |
| Core i5 4й серии | 1600 МГц |
| Core i7 | |
| Core i7 7й серии | 2666 МГц |
| Core i7 6й серии | 2400 МГц |
| Core i7 4й серии | 1600 МГц |
| AMD FX | |
| AMD FX-4ххх | 1866 МГц |
| AMD FX-6ххх | 1866 МГц |
| AMD FX-8ххх | 1866 МГц |
| AMD Ryzen | |
| AMD Ryzen 3 1й серии | 2666 МГц |
| AMD Ryzen 5 1й серии | 2666 МГц |
| AMD Ryzen 7 1й серии | 2933 МГц |
| Частота | Скорость |
|---|---|
| 2400 МГц | PC19200 |
| 2133 МГц | PC17000 |
| 1866 МГц | PC14900 |
| 1600 МГц | PC12800 |
| 1333 МГц | PC10600 |
Иногда встречается префикс «PC3» или «PC4». Ссылка на тип памяти - DDR3 или DDR4.
В конце может добавляться буква, обозначающая стандарт планки. Например, «PC4-24000U» или «PC4-24000R».
Редко встречается «E» - ECC (error-correcting code) - память c коррекцией ошибок.
Тайминг это задержка, которая происходит при обращении процессора к памяти. Обычно указывается в виде 4 чисел. Они описывают скорость чтения, записи и выполнения действия. А Четвёртая указывает на полный цикл выполнения этих операций. Иногда указывают только скорость чтения - CL11 (CAS Latency 11).Чем меньше задержки, тем лучше. Но это не точно. Дело в том, что, архитектура современных процессоров подразумевает наличие большого кеша и процессор не так часто обращается к оперативной памяти. Поэтому в DDR3 и DDR4 этим показателям производители не уделяют должного внимания. Разницу в быстродействии между 8-8-8-24 и 17-17-17-42 практически нельзя заметить.
Маркировка оперативной памяти фирмы «Corsair» значительно отличается от обозначений других производителей. Разберем обозначения «Corsair DDR4 CMU32GX4M4A2666C16R».
Развернутый вид: Vengeance 32GB (4 x 8GB) DDR4 DRAM 2666MHz C16 Memory Kit - Red .
Память DIMM
DIMM (SDRAM , Synchronic DRAM, Dual In line Memory Module, - "синхронная DRAM" - динамическое ОЗУ с синхронным интерфейсом. SDRAM - синхронная память "первого поколения", имеют пропускную способность порядка 100 Mb/s и представляет собой модуль памяти с двумя рядами контактов. Внешне похожи на SIMM-ы. Синхронизация отличает SDRAM от работающих по асинхронному интерфейсу (FPM/EDO/BEDO DRAM).
Помимо синхронного метода доступа, SDRAM использует внутреннее разделение массива памяти на два независимых банка (т.е имеют раздельные контакты - обычно 2x84), что позволяет увеличивать разрядность - т.е. в итоге совмещать выборку из одного банка с установкой адреса в другом банке. SDRAM также поддерживает блочный обмен.
Применяется как в IBM-совместимых PC (в основном - платах под Pentium III), так и в компьютерах Apple. Возможна и установка SDRAM для процессора Intel Pentium 4 (существует чипсет i845 с поддержкой данного типа памяти).
В отличии от SIMM DIMM вдавливается в разъем и "накрывается" рычажками, с помощью которых и вытаскивается.
Присутствие слова dial означает независимость контактов с двух сторон. Все разновидности обычных DIMM-ов имеют одинаковое (168) число контактов (168-ми, рассчитанные на ширину шины 64 бит) и форм-фактор, и различаются только "ключами" (вырезки по бокам).
Устанавливать модули DIMM совместно с модулями типа SIMM (т.е. вместе на m/b) не рекомендуется в связи с тем, что модули DIMM питаются от 3.3 вольт, а SIMM - от 5. При этом большинство материнских плат имеют общее питание для слотов SIMM и DIMM. В связи с этим, при установке модулей в оба типа разъемов, на DIMM будет подаваться повышенное напряжение 5 вольт (может привести к выходу из строя чипов).
Цифры - это и спецификация (напр. стандарт PC 100), и частота работы модуля (напр. 100 МГц). Во многих старых материнских платах можно использовать также частоты 75 MHz и 83 MHz, но - на страх и риск пользователя. Оверклокеры использовали также значения 103, 112, 124 MHz. Применение повышенной частоты шины и нормальная работа m/b-периферии, как правило, никем не гарантировалось.
Первую полную спецификацию на DIMM-модули (это были PC-100) выпустила Intel при подготовке чипсета i440BX (с тактовой частотой системной шины 100 MHz) в 1998 году.
Спецификация до сих пор является самой полной из всех существующих на сегодняшний день спецификаций модулей памяти. Вместе с дополнением, детально описывающим программирование EEPROM для модулей SDRAM, она занимает больше 70 страниц! Начальная спецификация PC133 была также выпущена Intel-ом в конце 1999 года и реально отличается от PC100 только параметрами быстродействия. Но еще в ноябре 1996г. Intel официально встал на сторону Direct Rambus, заявив, что следующим после PC100 SDRAM стандартом станет RDRAM. PC133 SDRAM поддерживала компания Via и c учетом колоссальных проблем Rambus-а на тот момент (с процентом выхода годных чипов) - победила.
Шины памяти в 66МГц и 100 МГц - устарели. Все модули PC133 содержат чипы со временем доступа от 7.5 нс и меньше, что гарантирует беспроблемную работу на 133 Мгц. 133-МГц чипы совместимы со всеми PC100-продуктами. Незначительные различия между PC100 и PC133 стали причинами для обмана потребителей путем нестандартной маркировки. Зачем приобретать новый модуль PC133, если б/у PC100 со временем доступа 7 нс тоже сможет работать на 133Мгц? Модули со временем доступа 7 нс и менее вполне работоспособны на 150Мгц. Здесь критерием выбора становится качество изготовления всего модуля DIMM и имя фирмы-производителя. Т.е Brand-овская PC133 практически всегда держит 150 МГц.
Кроме частоты, модули DIMM подразделяются по напряжению питания и алгоритму работы. Стандартными является небуферизированные модули с напряжением питания 3,3 вольта. Небуферизованный DIMM может содержать память типа SDRAM, BEDO, EDO и FPM , иметь ширину 64 или 72 бита данных для контроля четности, а также 72 и 80 бит для ECC.
Эти модули отличаются от остальных положениями ключей (пропилов) в контактной линейке. Т.е. если посмотреть на модуль с лицевой стороны (где чипы), то левый ключ (пропил) должен быть в крайнем правом положении, а средний - в среднем положении. Левый ключ определяет, является ли модуль буферизированым, а средний - определяет напряжение питания. Буферизованные DIMM, как правило, несовместимы с не буферизованными.
В соответствии со спецификацией JEDEC, в модулях DIMM необходима реализация технология PD. Делается при помощи перезаписываемого ПЗУ с последовательным доступом (Serial EEPROM) и носит название Serial Presence Detect (SPD). ПЗУ представляет собой 8-выводную микросхему, размещенную в углу DIMM-a, а его содержимое описывает конфигурацию и параметры модуля. Т.е. визуально SPD - это небольшой "лишний" чип на модуле.
Системные платы с некоторыми chiset`ами (напр. 440LX/BX) могут использовать SPD для настройки системы управления памятью. Некоторые системные платы могут обходиться без SPD, определяя конфигурацию модулей обычным путем - это стимулирует выпуск рядом производителей DIMM без ПЗУ, не удовлетворяющих спецификации JEDEC.
Известность SPD получил после того, как ряд материнских плат (например, Intel AL440LX) отказались работать с "ширпотребными" DIMM-ами. По сути дела это означало инспирированную Intel попытку возродить использование PRD (теперь в виде SPD). 440LX проверял не только собственно SPD, но и "информацию от производителя", по поводу которой был разработан специальный закрытый стандарт, так что даже DIMM с корректным SPD могли быть им отвергнуты. Впрочем, попытка не имела особого успеха, так как функция контроля SPD задействована далеко не во всех современных материнских платах.
HSDRAM , Enhanced High Speed SDRAM - усовершенствованная высокоскоростная SDRAM (DIMM-ы) на частоте шины 150 МГц и выше (в зависимости от типа чипсета). Т.е. HSDRAM - более высококачественные чипы, чем нормальные SDRAM. И раньше были единственные "PC150" DIMM - модули Kingmax . В сентябре 2000г. компании Enhanced Memory Systems (подразделение Ramtron International )и Mushkin объявили о выпуске новых SDRAM DIMM модулей - с частотой 150 и установкой 2-3-2 (CAS, CAS-to-RAS, RAS, clock access time - 4.5 нс). Установкой или таймингом называют время отклика памяти на различные запросы. HSDRAM-модули смогут работать с этими же таймингами на частотах вплоть до 166 МГц. HSDRAM не имеет буфера и обеспечивает малое время задержки, чем достигается высокая производительность. Теоретически, пропускная способность памяти, работающей на частоте 150MHz, равна 150MHz*8 байт (т.к. ширина шины 64 бита) = 1200MB/s (1.2GB/s). Ну что же, по сравнению с 1.066GB/s у PC133 очень неплохо. Но, младший DDR PC1600 со своими 1.6GB/s все же быстрее.
Выигрыш HSDRAM по сравнению с hi-end системами на базе PC-100 и Direct Rambus DRAM составил от 28% до 49% (по разным показателям).
Small Outline DIMM, SO DIMM - разновидность DIMM малого размера, предназначенных в первую очередь для портативных компьютеров (notebook, ноутбуках) и иногда для принтеров. Наиболее часто встречаются 72- и 144-контактные модули (32 и 64 бит соответственно).
Полное наименование - 144pin SODIMM SDRAM и 72pin SODIMM SDRAM. 144-контактные SO DIMM имеют ключ "со смещением", ответственный за напряжение, т.е ключи (и соответствующие выступы) смещены вдоль, что сделало невозможным установку "неправильного" модуля памяти, хотя и заметно осложнило производство.
GF1000 DIMM . Компания Samsung разрабатывает новую технологиею DRAM для графических процессоров. Кодовое название памяти - GF1000, пропускная способность памяти - 2-4 Гбит/с, напряжение питания - 1,8 В. В продаже память появится в 2004 году.
Обычные виды SDRAM и DRAM называют также асинхронными - потому, что установка адреса, подача управляющих сигналов и чтение/запись данных могут выполняться в произвольные моменты времени - необходимо только соблюдение временнЫх соотношений между этими сигналами. В эти временные соотношения включены так называемые охранные интервалы, необходимые для стабилизации сигналов, которые не позволяют достичь теоретически возможного быстродействия памяти. Существуют также синхронные виды памяти, получающие внешний синхросигнал, к импульсам которого жестко привязаны моменты подачи адресов и обмена данными; помимо экономии времени на охранных интервалах, они позволяют более полно использовать внутреннюю конвейеризацию и блочный доступ.
